Разлика између БЈТ и ФЕТ

БЈТ вс ФЕТ

И БЈТ (биполарни спојни транзистор) и ФЕТ (транзистор са ефектом поља) су две врсте транзистора. Транзистор је електронски полуводички уређај који у великој мјери мијења излазни сигнал за мале промјене малих улазних сигнала. Због овог квалитета, уређај се може користити или као појачало или као прекидач. Транзистор је објављен 1950-их и може се сматрати једним од најважнијих изума у ​​20. веку с обзиром на његов допринос развоју ИТ-а. Тестиране су различите врсте архитектуре транзистора.

Биполарни спојни транзистор (БЈТ)

БЈТ се састоји од два ПН спајања (спој који је направљен спајањем полуводича типа п и н типа полуводича). Ова два спајања су формирана помоћу повезивања три полуводича у редоследу П-Н-П или Н-П-Н. Постоје две врсте БЈТ-ова познатих као ПНП и НПН.

Три електроде су спојене на ова три полуводичка дела, а средњи кабел назива се 'база'. Друга два спајања су 'емитер' и 'колектор'.

У БЈТ струји великог колектора (Иц) контролише се мала базна емитерска струја (ИБ) и ово својство се користи за дизајн појачала или склопки. Тамо се то може сматрати уређајем који покреће струју. БЈТ се углавном користи у склоповима појачала.

Транзистор поља (ФЕТ)

ФЕТ је направљен од три терминала позната као "Капија", "Извор" и "Одвод". Овде струју одвода регулише напон капије. Стога су ФЕТ-ови уређаји под напоном.

Овисно о врсти полуводича који се користи за извор и одвод (у ФЕТ-у су оба направљена од истог типа полуводича), ФЕТ може бити уређај Н или П канала. Извор за одвод струје контролише се подешавањем ширине канала применом одговарајућег напона на капији. Постоје и два начина за контролу ширине канала познатог као исцрпљивање и побољшање. Због тога су ФЕТ-ови доступни у четири различите врсте, као што су Н канал или П канал, или у режиму исцрпљивања или побољшања.

Постоје многе врсте ФЕТ-ова као што су МОСФЕТ (Метал Оксид Семицондуцтор ФЕТ), ХЕМТ (транзистор високе електронске покретљивости) и ИГБТ (Биполарни транзистор са изолованим капијом). ЦНТФЕТ (Царбон Нанотубе ФЕТ) који је резултирао развојем нанотехнологије најновији је члан ФЕТ породице.

Разлика између БЈТ и ФЕТ

1. БЈТ је у основи уређај са погоном на струју, мада се ФЕТ сматра уређајем који контролира напон.

2. Терминали БЈТ познати су као емитер, сакупљач и база, док је ФЕТ израђен од капија, извора и одвода.

3. У већини нових апликација ФЕТ-ови се користе него БЈТ-и.

4. БЈТ користи електроне и рупе за проводљивост, док ФЕТ користи само један од њих и отуда се назива униполарним транзисторима.

5. ФЕТ-ови су енергетски ефикаснији од БЈТ-а.