МОСФЕТ вс БЈТ
Транзистор је електронски полуводички уређај који у великој мјери мијења излазни сигнал за мале промјене малих улазних сигнала. Због овог квалитета, уређај се може користити или као појачало или као прекидач. Транзистор је пуштен 1950-их и може се сматрати једним од најважнијих изума у 20. веку с обзиром на допринос ИТ-у. То је уређај који се брзо развија и уведене су многе врсте транзистора. Биполарни спајачки транзистор (БЈТ) је први тип, а полуводички ефектни полисујући транзистор металног оксида (МОСФЕТ) је други тип транзистора који је представљен касније.
Биполарни спојни транзистор (БЈТ)
БЈТ се састоји од два ПН спајања (спој који је направљен спајањем полуводича типа п и н типа полуводича). Ова два спајања су формирана помоћу повезивања три полуводича у редоследу П-Н-П или Н-П-Н. Због тога су доступне две врсте БЈТ-ова познате као ПНП и НПН.
Три електроде су спојене на ова три полуводичка дела, а средњи кабел назива се 'база'. Друга два спајања су 'емитер' и 'колектор'.
У БЈТ струји великог колектора (Иц) контролише се мала базна емитерска струја (ИБ) и ово својство се користи за дизајн појачала или склопки. Због тога се може сматрати уређајем који покреће струју. БЈТ се углавном користи у склоповима појачала.
Полупроводнички пољоводнички транзистор с металним оксидом (МОСФЕТ)
МОСФЕТ је врста транзистора са ефектом поља (ФЕТ), који се састоји од три терминала позната као "Капија", "Извор" и "Одвод". Овде струју одвода регулише напон капије. Стога су МОСФЕТ уређаји који контролирају напон.
МОСФЕТ-ови су доступни у четири различита типа, као што су н канал или п канал, или у режиму исцрпљивања или побољшања. Одвод и извор су направљени од н-полуводича за н-каналне МОСФЕТ-ове и слично за уређаје п канала. Капија је направљена од метала и одвојена је од извора и одвода користећи метални оксид. Ова изолација изазива малу потрошњу енергије и предност је код МОСФЕТ-а. Стога се МОСФЕТ користи у дигиталној ЦМОС логици, где се п- и н-канални МОСФЕТ користе као градивни блокови за смањење потрошње енергије.
Иако је концепт МОСФЕТ-а предложен веома рано (1925. године), он је практично примењен 1959. године у лабораторијама Белл.
БЈТ вс МОСФЕТ 1. БЈТ је у основи уређај са погоном на струју, МОСФЕТ се сматра уређајем који контролира напон. 2. Терминали БЈТ познати су као емитер, сакупљач и база, док је МОСФЕТ израђен од капија, извора и одвода. 3. У већини нових апликација користе се МОСФЕТ-ови него БЈТ-ови. 4. МОСФЕТ има сложенију структуру у односу на БЈТ 5. МОСФЕТ је ефикаснији у потрошњи енергије од БЈТ-а и зато се користи у ЦМОС логици.
|